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半导体结构、自支撑氮化镓层及其制备方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN202010062288.0
  • IPC分类号:H01L21/033
  • 申请日期:
    2020-01-19
  • 申请人:
    镓特半导体科技(上海)有限公司
著录项信息
专利名称半导体结构、自支撑氮化镓层及其制备方法
申请号CN202010062288.0申请日期2020-01-19
法律状态实质审查申报国家中国
公开/公告日2020-06-05公开/公告号CN111243946A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/033IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;0;3;3查看分类表>
申请人镓特半导体科技(上海)有限公司申请人地址
上海市浦东新区泥城镇新城路2号23幢N1128室 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人镓特半导体科技(上海)有限公司当前权利人镓特半导体科技(上海)有限公司
发明人特洛伊·乔纳森·贝克;王颖慧;罗晓菊;武泽成
代理机构广州华进联合专利商标代理有限公司代理人史治法
摘要
本发明涉及一种半导体结构、自支撑氮化镓层及其制备方法;包括如下步骤:提供衬底;于衬底上形成多层图形化掩膜层;多层图形化掩膜层包括上下叠置的第一图形化掩膜层及第二图形化掩膜层,第一图形化掩膜层与第二图形化掩膜层具有不同的热膨胀系数。上述实施例中的半导体结构的制备方法通过制备包括不同热膨胀系数的图形化掩膜层的多层图形化掩膜层,利用各层图形化掩膜层热膨胀系数的不同,可以逐渐缓解整个多层图形化掩膜层与在其上外延的氮化镓层的热膨胀系数差异,使得在降温剥离氮化镓层的过程中,氮化镓层受到的弯曲应力较小,氮化镓层不会因受到的弯曲应力太大而造成裂片,使得氮化镓层可以整片剥离,具有较高的良率。

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