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*来源于国家知识产权局数据,仅供参考,实际以国家知识产权局展示为准

高压半导体装置

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201910187396.8
  • IPC分类号:H01L29/78;H01L29/06
  • 申请日期:
    2019-03-13
  • 申请人:
    新唐科技股份有限公司
著录项信息
专利名称高压半导体装置
申请号CN201910187396.8申请日期2019-03-13
法律状态实质审查申报国家中国
公开/公告日2019-11-01公开/公告号CN110400842A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L29/78
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IPC结构图谱:
IPC分类号H;0;1;L;2;9;/;7;8;;;H;0;1;L;2;9;/;0;6查看分类表>
申请人新唐科技股份有限公司申请人地址
中国台湾新竹科学工业园区 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人新唐科技股份有限公司当前权利人新唐科技股份有限公司
发明人韦维克;陈鲁夫;陈柏安
代理机构北京三友知识产权代理有限公司代理人王天尧;任默闻
摘要
本发明提供了一种高压半导体装置,包含半导体衬底,具有第一导电类型,源极区和漏极区设置于半导体衬底上,其中漏极区具有与第一导电类型相反的第二导电类型,且源极区包含分别具有第一导电类型和第二导电型的两个部分,第一隔离结构和第二隔离结构分别设置于漏极区的相对两侧,其中第一隔离结构在源极区与漏极区之间,第一阱设置于第二隔离结构下且具有第一导电类型,其中第一阱的顶面邻接第二隔离结构的底面,以及第一埋层设置于半导体衬底内且具有第一导电类型,其中第一埋层与第一阱重迭。

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