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等离子体活化蒸发法沉积二氧化硅

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN98115119.1
  • IPC分类号:C23C14/10
  • 申请日期:
    1998-06-26
  • 申请人:
    通用电气公司
著录项信息
专利名称等离子体活化蒸发法沉积二氧化硅
申请号CN98115119.1申请日期1998-06-26
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日1999-03-17公开/公告号CN1210899
优先权暂无优先权号暂无
主分类号C23C14/10IPC分类号C23C14/10查看分类表>
申请人通用电气公司申请人地址
荷兰贝亨奥*** 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人沙比克创新塑料IP有限公司当前权利人沙比克创新塑料IP有限公司
发明人C·D·亚科范格洛
代理机构中国专利代理(香港)有限公司代理人魏金玺;罗才希
摘要
使用等离子体活化反应性沉积法在不同基片上沉积氧化硅抗刮伤的涂层。本方法包括将硅或硅的氧化物蒸发到氩气和一氧化二氮等离子体中,等离子体朝着待涂复的表面。

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