通孔层的OPC热点的修补方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202110728158.0
IPC分类号：G03F1/36;G03F7/20
申请日期：
2021-06-29
申请人：
上海华力微电子有限公司

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	通孔层的OPC热点的修补方法
申请号	CN202110728158.0	申请日期	2021-06-29
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2021-09-10	公开/公告号	CN113376955A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G03F1/36 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术〔4〕 G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备（照相排版装置入B41B；为摄影用的感光材料或处理入G03C；电记录、感光层或处理入G03G） G03F1/16 （转入G03F 1/00-G03F 1/86） G03F1/36 具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺〔2012.01〕	IPC分类号	G;0;3;F;1;/;3;6;;;G;0;3;F;7;/;2;0查看分类表>
申请人	上海华力微电子有限公司	申请人地址	上海市浦东新区良腾路6号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	上海华力微电子有限公司	当前权利人	上海华力微电子有限公司
发明人	何大权;陈翰;张辰明
代理机构	上海思微知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	周耀君

摘要

本发明提供了一种通孔层的OPC热点的修补方法，包括：输入初始OPC图形和热点标记图形；延伸和放大所述热点标记图形的中心线，以得到优化标记图形；选择与所述优化标记图形接触的所述初始OPC图形的边作为接触边，选择与所述接触边相邻的相邻边；向所述初始OPC图像的内部的方向扩展所述接触边，并且向所述初始OPC图形的外部的方向扩展相邻边，完成对OPC热点的修补。本发明可以修补通孔层的OPC热点，并且修补后不会产生新的OPC热点。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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