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一种ppb级NO2气体片式传感器及制备方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN201810864082.2
  • IPC分类号:G01N27/00
  • 申请日期:
    2018-08-01
  • 申请人:
    华东师范大学
著录项信息
专利名称一种ppb级NO2气体片式传感器及制备方法
申请号CN201810864082.2申请日期2018-08-01
法律状态撤回申报国家中国
公开/公告日2019-01-01公开/公告号CN109115834A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号G01N27/00IPC分类号G;0;1;N;2;7;/;0;0查看分类表>
申请人华东师范大学申请人地址
上海市闵行区东川路500号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人华东师范大学当前权利人华东师范大学
发明人李强;郑晓虹;李鑫;沈艺波;戴梦婷;王冰
代理机构上海蓝迪专利商标事务所(普通合伙)代理人徐筱梅;张翔
摘要
本发明公开了一种ppb级NO2气体片式传感器及制备方法,通过硬模板法合成介孔WO3;以YSZ为固体电解质,介孔WO3为敏感电极制得NO2气体片式传感器。本发明制备的NO2片式传感器具有结构简单、灵敏度高、检测限低(60ppb)、选择性和重复性好等优点。

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