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一种MOCVD反应室及其应用

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN202110223326.0
  • IPC分类号:C23C16/44;C23C16/455;C23C16/458
  • 申请日期:
    2021-03-01
  • 申请人:
    中山德华芯片技术有限公司
著录项信息
专利名称一种MOCVD反应室及其应用
申请号CN202110223326.0申请日期2021-03-01
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2021-07-09公开/公告号CN113088929A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号C23C16/44IPC分类号C;2;3;C;1;6;/;4;4;;;C;2;3;C;1;6;/;4;5;5;;;C;2;3;C;1;6;/;4;5;8查看分类表>
申请人中山德华芯片技术有限公司申请人地址
广东省中山市火炬开发区火炬路22号之二第3-4层 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人中山德华芯片技术有限公司当前权利人中山德华芯片技术有限公司
发明人黄珊珊;黄辉廉;刘雪珍;刘建庆;杨文奕
代理机构广州嘉权专利商标事务所有限公司代理人暂无
摘要
本发明公开了一种MOCVD反应室及其应用,该反应室包括反应室腔体(1)、上承载盘(2)、下承载盘(3)、氢化物气源进气口(4)、有机化合物气源进气口(5)、挡板(6)和出气口(7);其中,所述上承载盘(2)中还设有上加热丝;所述下承载盘(3)中还设有下加热丝和高度调整装置;所述下承载盘(3)能够上下移动;所述挡板(6)能够上下移动。其用于原位双面生长,通过将有机化合物气源及氢化物气源进气口分开并用挡板隔离开来,避免了预反应,降低反应室内附着物、颗粒物等产生的几率,改善了外延片的表观。

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