半导体装置、电子构件及电子设备

发明专利有效专利

申请号：
CN201880034637.9
IPC分类号：--
申请日期：
2018-05-25
申请人：
株式会社半导体能源研究所

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法律信息

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著录项信息

专利名称	半导体装置、电子构件及电子设备
申请号	CN201880034637.9	申请日期	2018-05-25
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2020-01-10	公开/公告号	CN110678974A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	暂无	IPC分类号	暂无查看分类表>
申请人	株式会社半导体能源研究所	申请人地址	日本神奈川变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	株式会社半导体能源研究所	当前权利人	株式会社半导体能源研究所
发明人	山崎舜平;加藤清;热海知昭
代理机构	中国国际贸易促进委员会专利商标事务所	代理人	刘倜

摘要

提供一种存储电路由使用OS晶体管的单极性电路构成的新颖的半导体装置。因此，在存储电路内部中，不需要连接不同层。由此，可以减少连接部数而可以提高电路布局的自由度及OS晶体管的可靠性。特别是，因为设置多个存储单元，所以通过由单极性电路构成存储单元，可以大幅度地减少连接部数。此外，通过在同一层中设置驱动电路和单元阵列，可以防止在层间设置连接驱动电路和单元阵列的多个布线，从而可以进一步减少连接部数。可以在插板设置多个集成电路来将其用作一个电子构件。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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