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纳米线GaN高电子迁移率晶体管

实用新型专利有效专利
  • 申请号:
    CN201720413488.X
  • IPC分类号:H01L29/06;H01L29/20
  • 申请日期:
    2017-04-19
  • 申请人:
    华南理工大学
著录项信息
专利名称纳米线GaN高电子迁移率晶体管
申请号CN201720413488.X申请日期2017-04-19
法律状态授权申报国家暂无
公开/公告日公开/公告号
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L29/06IPC分类号H;0;1;L;2;9;/;0;6;;;H;0;1;L;2;9;/;2;0查看分类表>
申请人华南理工大学申请人地址
广东省广州市天河区五山路381号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人华南理工大学当前权利人华南理工大学
发明人李国强;刘智崑;李媛
代理机构广州市华学知识产权代理有限公司代理人罗观祥
摘要
本实用新型公开了一种纳米线GaN高电子迁移率晶体管,由下至上依次包括衬底、GaN薄膜、AlGaN纳米线、绝缘层薄膜;所述AlGaN纳米线的上方设有源极和漏极;所述绝缘层薄膜的上方设有栅极。本实用新型利用纳米线具有超强韧性的物理性质,达到抑制高压下材料内部产生缺陷的效果;利用纳米线中位错容易移动到表面而湮灭的原理,从而实现在高压工作时的自修复的效果,是一种能够避免或大幅度延迟器件在高电压工作时产生的不可逆失效现象的有效结构。

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