用于改善GaAs微探尖质量的生长液旋转倾倒脱片方法

发明专利无效专利

申请号：
CN201010296998.6
IPC分类号：G01Q60/38;B82Y40/00
申请日期：
2010-09-26
申请人：
大连理工大学

基础信息

权利要求

说明书

PDF全文

法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	用于改善GaAs微探尖质量的生长液旋转倾倒脱片方法
申请号	CN201010296998.6	申请日期	2010-09-26
法律状态	撤回	申报国家	中国
公开/公告日	2011-04-13	公开/公告号	CN102012438A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G01Q60/38 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G01 测量；测试 G01Q 扫描探针技术或设备；扫描探针技术的应用，例如，扫描探针显微术〔SPM〕〔2010.01〕 G01Q60/00 特殊类型的SPM 〔扫描探针显微术〕或其设备；其基本组成〔2010.01〕 G01Q60/24 AFM 〔原子力显微术〕或其设备，例如AFM探针〔2010.01〕 G01Q60/38 探针，其制造或有关的使用仪器，例如支撑物〔2010.01〕	IPC分类号	G;0;1;Q;6;0;/;3;8;;;B;8;2;Y;4;0;/;0;0查看分类表>
申请人	大连理工大学	申请人地址	辽宁省大连市甘井子区凌工路2号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	大连理工大学	当前权利人	大连理工大学
发明人	胡礼中;梁秀萍;曲光伟;张贺秋;骆英民;赵宇;邱宇
代理机构	大连理工大学专利中心	代理人	侯明远

摘要

一种用于改善GaAs微探尖质量的生长液旋转倾倒脱片方法，属于信息技术领域。本发明的技术特征是通过绕水平轴将石墨舟旋转180度的方式使已完成生长使命的生长液在重力作用下自动地从外延片上脱落下来，从而可避免由较高的微探尖造成的生长液在微探尖的表面上的残留问题。本发明的效果和益处是能够简单有效地改进基于选择液相外延技术制备的GaAs集成式SNOM传感器的工作性能。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有被任何外部专利所引用！

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供