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具备低漏电高耐压终端结构的台面二极管及其制备方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201510010197.1
  • IPC分类号:H01L29/861;H01L29/06;H01L21/329
  • 申请日期:
    2015-01-08
  • 申请人:
    北京时代民芯科技有限公司;北京微电子技术研究所
著录项信息
专利名称具备低漏电高耐压终端结构的台面二极管及其制备方法
申请号CN201510010197.1申请日期2015-01-08
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2015-06-03公开/公告号CN104681633A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L29/861
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IPC结构图谱:
IPC分类号H;0;1;L;2;9;/;8;6;1;;;H;0;1;L;2;9;/;0;6;;;H;0;1;L;2;1;/;3;2;9查看分类表>
申请人北京时代民芯科技有限公司;北京微电子技术研究所申请人地址
北京市丰台区东高地四营门北路2号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人北京时代民芯科技有限公司,北京微电子技术研究所当前权利人北京时代民芯科技有限公司,北京微电子技术研究所
发明人姚全斌;赵元富;王成杰;王传敏;殷丽;李光北;冯幼明;吴立成;张文敏;赵昕
代理机构中国航天科技专利中心代理人范晓毅
摘要
本发明提供了一种具备低漏电高耐压终端结构的台面二极管及其制备方法,该台面二极管包括背面衬底、N‑型外延层、阳极有源区P+型层和二极管台面上的复合钝化层,该复合钝化层包括二氧化硅层、多晶硅层和氮化硅层,本发明的制备方法步骤如下:1、制备普通的台面二极管;2、在二极管的上表面生长一层二氧化硅;3、在二氧化硅层上淀积多晶硅,并进行扩磷处理形成多晶硅层;4、在多晶硅层上淀积氮化硅形成氮化硅层;5、在所述氮化硅层和多晶硅层进行刻蚀,得到设定图形的氮化硅层和多晶硅层;6、采用腐蚀工艺对裸露出的二氧化硅层进行腐蚀处理,得到设定图形的二氧化硅层;本发明能够提高器件的性能,工艺实现简单。

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