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具有注入漏漂移区的沟槽金属氧化物半导体场效应晶体管及其制造方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN200380106037.2
  • IPC分类号:H01L29/78;H01L21/336;H01L29/08
  • 申请日期:
    2003-12-12
  • 申请人:
    西利康尼克斯股份有限公司
著录项信息
专利名称具有注入漏漂移区的沟槽金属氧化物半导体场效应晶体管及其制造方法
申请号CN200380106037.2申请日期2003-12-12
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2006-01-25公开/公告号CN1726596
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L29/78
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IPC结构图谱:
IPC分类号H;0;1;L;2;9;/;7;8;;;H;0;1;L;2;1;/;3;3;6;;;H;0;1;L;2;9;/;0;8查看分类表>
申请人西利康尼克斯股份有限公司申请人地址
美国加利福尼亚州 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人西利康尼克斯股份有限公司当前权利人西利康尼克斯股份有限公司
发明人默罕穆德·N·达维什
代理机构北京市柳沈律师事务所代理人陶凤波;侯宇
摘要
沟槽MOSFET形成在包括覆盖N+型衬底(102)的P型外延层(100)的结构中。一沟槽形成在外延层(100)中。深注入N型层(106)形成在沟槽下面位于衬底与外延层之间的界面处,并通过沟槽底部注入N型掺杂剂以在外延层中在沟槽下面、却在深N型层上方并与之隔离形成N型区(120)。加热该结构,使N型层向上扩散而N型区向下扩散。扩散融合以形成从沟槽底部延伸到衬底的连续N型漏漂移区(122)。可选择地,通过以不同的能量经过沟槽底部注入N型掺杂剂可以形成漏漂移区,产生从沟槽底部延伸至衬底的N型区的一堆叠。

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