首页专利查询专利详情

*来源于国家知识产权局数据，仅供参考，实际以国家知识产权局展示为准

一种InP基中红外InAsBi量子阱结构

发明专利无效专利

申请号：
CN201410247131.X
IPC分类号：H01S5/343
申请日期：
2014-06-05
申请人：
中国科学院上海微系统与信息技术研究所

基础信息

权利要求

说明书

PDF全文

法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	一种InP基中红外InAsBi量子阱结构
申请号	CN201410247131.X	申请日期	2014-06-05
法律状态	驳回	申报国家	暂无
公开/公告日	2014-10-15	公开/公告号	CN104104012A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01S5/343 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01S 利用受激发射的器件 H01S5/00 半导体激光器〔7〕 H01S5/30 激活区的结构或形状；用于激活区的材料〔7〕 H01S5/34 含有量子阱的或超晶格结构的，例如单量子阱激光器〔SQW-激光器〕、多量子阱激光器〔MQW-激光器〕，缓变折射率（光电）分别限制异质结构激光器〔GRINSCH-激光器〕（H01S5/36优先）〔7〕 H01S5/343 用AⅢBⅤ族化合物材料的，例如AlGaAs-激光器〔7〕	IPC分类号	H;0;1;S;5;/;3;4;3查看分类表>
申请人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	申请人地址	上海市长宁区长宁路865号5号楼505室变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	当前权利人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所
发明人	顾溢;张永刚;王庶民
代理机构	上海泰能知识产权代理事务所	代理人	黄志达

摘要

本发明涉及一种InP基中红外InAsBi量子阱结构，采用InAsBi作为量子阱结构的势阱层，同时采用与InP匹配的In0.53Ga0.47As或者晶格常数比InP小的InxGa1-xAs、0

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供