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场发射显示器的制造方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN200410027905.4
  • IPC分类号:H01J9/00;H01J31/12
  • 申请日期:
    2004-06-25
  • 申请人:
    清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
著录项信息
专利名称场发射显示器的制造方法
申请号CN200410027905.4申请日期2004-06-25
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2005-12-28公开/公告号CN1713324
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01J9/00IPC分类号H;0;1;J;9;/;0;0;;;H;0;1;J;3;1;/;1;2查看分类表>
申请人清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司申请人地址
北京市海淀区清华大学物理系 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人清华大学,鸿富锦精密工业(深圳)有限公司当前权利人清华大学,鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
发明人魏洋;刘亮;范守善
代理机构暂无代理人暂无
摘要
本发明提供一种场发射显示器的制造方法,其包括下列步骤:步骤一,提供一绝缘基板,其具有相对的两平整表面;步骤二,在所述绝缘基板的两平整表面分别形成一层金属膜;步骤三,在所述一层金属膜上利用光刻方法形成条形栅极;步骤四,在所述条形栅极及绝缘基板另一表面的金属膜相互对应的位置蚀刻去除部分金属层,然后穿透绝缘基板形成通孔,从而得到条形栅极和聚焦电极一体的电极模组;步骤五,将上述电极模组、场发射阴极以及荧光屏经过对准、封装形成场发射显示器。本发明方法可以避免多次对准,简化制造工艺,提高产率,降低成本。

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