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发光二极管及其制造方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN200780004930.2
  • IPC分类号:H01L33/00;H01L21/28
  • 申请日期:
    2007-02-06
  • 申请人:
    昭和电工株式会社
著录项信息
专利名称发光二极管及其制造方法
申请号CN200780004930.2申请日期2007-02-06
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日2009-03-04公开/公告号CN101379628
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L33/00IPC分类号H;0;1;L;3;3;/;0;0;;;H;0;1;L;2;1;/;2;8查看分类表>
申请人昭和电工株式会社申请人地址
日本东京都 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人昭和电工株式会社当前权利人昭和电工株式会社
发明人有满正男
代理机构北京市中咨律师事务所代理人杨晓光;于静
摘要
一种发光二极管(10),具有光提取表面,且包括透明衬底(14)、接合到透明衬底的化合物半导体层(13)、包含在化合物半导体层中的发光部分(12)、包含在发光部分中且由(AlXGa1-X)YIn1-YP(0≤X≤1,0<Y≤1)形成的发光层(133)、设置在发光二极管的与光提取表面相反的表面上的不同极性的第一电极(15)和第二电极(16)、以及形成在第一电极上的反射金属膜(17)。透明衬底具有在接近发光层的一侧上与发光层的发光表面实质上垂直的第一侧面(142)和在远离发光层的一侧上相对于发光表面倾斜的第二侧面(143)。第一和第二电极分别安装在电极端子(43,44)上。

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