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一种大高径比霍尔推力器的磁路结构

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201610221522.3
  • IPC分类号:F03H1/00;H01F7/00
  • 申请日期:
    2016-04-11
  • 申请人:
    哈尔滨工业大学
著录项信息
专利名称一种大高径比霍尔推力器的磁路结构
申请号CN201610221522.3申请日期2016-04-11
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2016-07-06公开/公告号CN105736273A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号F03H1/00IPC分类号F;0;3;H;1;/;0;0;;;H;0;1;F;7;/;0;0查看分类表>
申请人哈尔滨工业大学申请人地址
黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人哈尔滨工业大学当前权利人哈尔滨工业大学
发明人于达仁;李鸿;丁明浩;刘金文
代理机构哈尔滨市松花江专利商标事务所代理人张宏威
摘要
一种大高径比霍尔推力器的磁路结构,属于航天电推进技术和等离子体技术领域,本发明为解决霍尔推力器保持体积不增加的情况下,为了增大放电通道高径比存在磁路结构设计不理想的问题。本发明包括上磁极板、下导磁底板、内铁芯、外导磁罩和磁屏;外导磁罩的上边沿设置环形结构的上磁极板;下导磁底板的上表面中心位置设置有圆柱形结构的内铁芯;磁屏包括外磁屏、内磁屏和磁屏底座;外磁屏为圆筒型结构,磁屏底座为圆环形平板结构,内磁屏为向下开口的喇叭型结构,内磁屏的喇叭小口端与内铁芯的侧壁之间存在间隙,内磁屏的喇叭大口端固定在磁屏底座的内环端,磁屏底座的外环端固定在外导磁罩的内侧壁上;外磁屏的下边沿固定在磁屏底座的环面上表面。

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