制备间隔可调的纳电极的方法

发明专利无效专利

申请号：
CN200410064945.6
IPC分类号：--
申请日期：
2004-10-14
申请人：
中国科学技术大学

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法律信息

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著录项信息

专利名称	制备间隔可调的纳电极的方法
申请号	CN200410064945.6	申请日期	2004-10-14
法律状态	撤回	申报国家	中国
公开/公告日	2005-03-02	公开/公告号	CN1588626
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	暂无	IPC分类号	暂无查看分类表>
申请人	中国科学技术大学	申请人地址	安徽省合肥市金寨路96号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中国科学技术大学	当前权利人	中国科学技术大学
发明人	张琨;王晓平;侯建国
代理机构	南京经纬专利商标代理有限公司	代理人	叶连生

摘要

制备间隔可调的纳电极的方法涉及纳米电极的加工和纳米制备，制备方法为：先在二氧化硅衬底上涂聚甲基丙烯酸甲酯/聚甲基丙烯酸甲酯－甲基丙烯酰胺双层胶，用电子束在该表面生成刻蚀槽，再向该表面蒸发金，在槽中形成金纳米线，将金纳米线与电阻、可调的直流电源和电流表串联，在金纳米线两端施加电压，调整电压大小使得流过金纳米线的电流强度为预设值，然后等待至电流突然降为零，此时金纳米线已经从中间处断开，断口处形成电极。电流强度预设值为0＜I＜10毫安。金纳米线厚度大于20纳米，小于50纳米，金纳米线的宽度在50～500纳米之间。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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