氮化镓高电子迁移率晶体管I‑V模型参数的提取方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201410800156.8
IPC分类号：G06F19/00;G06F17/50
申请日期：
2014-12-20
申请人：
电子科技大学

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著录项信息

专利名称	氮化镓高电子迁移率晶体管I‑V模型参数的提取方法
申请号	CN201410800156.8	申请日期	2014-12-20
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2015-04-29	公开/公告号	CN104573330A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G06F19/00 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G06 计算；推算；计数 G06F 电数字数据处理（基于特定计算模型的计算机系统入G06N） G06F19/00 专门适用于特定应用的数字计算或数据处理的设备或方法（专门适用于特定功能的入G06F17/00；专门适用于行政、商业、金融、管理、监督或预测目的的数据处理系统或数据处理方法入G06Q；医疗信息学入G16H）〔6，2006.01，2011.01，2018.01〕	IPC分类号	G;0;6;F;1;9;/;0;0;;;G;0;6;F;1;7;/;5;0查看分类表>
申请人	电子科技大学	申请人地址	四川省成都市高新区（西区）西源大道2006号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	电子科技大学	当前权利人	电子科技大学
发明人	徐跃杭;闻彰;汪昌思;赵晓冬;徐锐敏
代理机构	电子科技大学专利中心	代理人	李明光

摘要

本发明公开了一种基于氮化镓高电子迁移率晶体管(GaNHEMT)的电流‑电压(I‑V)模型参数提取方法。本发明方法首先根据I‑V模型参数的物理意义，对模型参数进行分块，降低I‑V模型的复杂度，再通过拟合实测脉冲I‑V和静态I‑V的转移特性曲线，提取相应分块的模型参数。与传统的参数提取方法相比，本发明方法可以快速准确地完成I‑V模型的参数提取，大大提高了器件建模的效率。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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