基于IGBT驱动芯片短路保护的电流状态判断及死区补偿方法

发明专利无效专利

申请号：
CN201010240392.0
IPC分类号：H02M1/088
申请日期：
2010-07-29
申请人：
浙江大学

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著录项信息

专利名称	基于IGBT驱动芯片短路保护的电流状态判断及死区补偿方法
申请号	CN201010240392.0	申请日期	2010-07-29
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2011-01-12	公开/公告号	CN101944838A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H02M1/088 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H02 发电、变电或配电 H02M 用于交流和交流之间、交流和直流之间、或直流和直流之间的转换以及用于与电源或类似的供电系统一起使用的设备；直流或交流输入功率至浪涌输出功率的转换；以及它们的控制或调节（专用于没有可动部件的电子时钟的电流或者电压的变换入G04G 19/02；调节电或磁变量的系统，例如用变压器、电抗器、或扼流圈及这种系统与静止变换器的组合，一般入G05F；用于数字计算机的入G06F 1/00；变压器入H01F；与类似的或其他供电电源联合运行的一个变换器的连接或控制入H02J；机电变换器入H02K 47/00；控制变压器、电抗器或扼流圈、电动机、发电机或机电变换器的控制调节入H02P；脉冲发生器入H03K）〔4，5〕 H02M1/00 变换装置的零部件〔1，2007.01〕 H02M1/08 为静态变换器中的半导体器件产生控制电压的专用电路 H02M1/088 用于对串联或并联半导体器件进行同时控制〔4〕	IPC分类号	H;0;2;M;1;/;0;8;8查看分类表>
申请人	浙江大学	申请人地址	浙江省杭州市西湖区浙大路38号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	浙江大学	当前权利人	浙江大学
发明人	王斯然;周霞;陈基锋;吕征宇
代理机构	杭州中成专利事务所有限公司	代理人	金祺

摘要

本发明涉及桥式变流器，旨在提供一种基于IGBT驱动芯片短路保护的电流状态判断及死区补偿方法。本发明在桥式变流器中开关器件均有驱动芯片，且驱动芯片上带有短路保护功能。利用该短路保护功能，检测驱动芯片上的短路保护引脚的电压，将其与特定的电压基准进行比较，从而可根据开关器件的输出特性判断输出电流的状态。根据输出电流的不同状态，再对电路采取不同的死区补偿量。本方法能够避免死区补偿量不合适而引起的输出电流畸变，使得输出电流、输出电压更加接近正弦波，从而提高桥式变流器的工作性能。另外，直接利用电路中的元器件判断输出电流的状态，能够大大地降低电路的生产成本。

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