一种四元硫化物半导体材料及其制备方法和用途

发明专利有效专利

申请号：
CN201710967035.6
IPC分类号：C30B29/46;C30B7/14;C30B28/04;H01L31/032
申请日期：
2015-03-31
申请人：
浙江大学

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专利名称	一种四元硫化物半导体材料及其制备方法和用途
申请号	CN201710967035.6	申请日期	2015-03-31
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2018-02-23	公开/公告号	CN107723799A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C30B29/46 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C30 晶体生长〔3〕 C30B 单晶生长（用超高压的，例如用于金刚石形成的入B01J 3/06）；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼（金属或合金的区熔精炼入C22B）；具有一定结构的均匀多晶材料的制备（金属铸造，按同样工艺或装置的其他物质铸造入B22D；塑料的加工入B29；改变金属或合金的物理结构入C21D、C22F）；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理（用于半导体器件或元件生产的入H01L）；其所用的装置〔3〕 C30B29/00 以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料〔3，5〕 C30B29/10 无机化合物或组合物〔3〕 C30B29/46 含硫、硒或碲的化合物〔3〕	IPC分类号	C;3;0;B;2;9;/;4;6;;;C;3;0;B;7;/;1;4;;;C;3;0;B;2;8;/;0;4;;;H;0;1;L;3;1;/;0;3;2查看分类表>
申请人	浙江大学	申请人地址	浙江省杭州市西湖区余杭塘路866号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	浙江大学	当前权利人	浙江大学
发明人	刘毅;沈亚英;刘畅;候佩佩;洪樟连
代理机构	杭州求是专利事务所有限公司	代理人	傅朝栋;张法高

摘要

本发明公开了一种四元硫化物半导体材料及其制备方法和用途。以碱金属化合物、金属铜、二元固溶体硫化锑和单质硫为原料，水合肼和聚乙二醇为溶剂，在120‑190℃烘箱中反应4‑9天，得到四元硫化物半导体材料。化学组成式为：RbCuSb2S4，属于单斜晶系，空间群是C12/c1，β＝105.75°，Z＝4，能隙为1.74eV。本方法具有操作过程简单，原料成本低，反应条件温和，合成温度低等优点。采用本方法得到的四元硫化物，产率可达到60％‑90％，晶粒尺寸为150‑300μm，化学纯度高，用于制备光学半导体器件。

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