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一种贵金属/H-TiO2基纳米管阵列的制备与应用

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN201810051236.6
  • IPC分类号:B01J23/42;B01J23/44;B01J23/50;B01J23/52;B01J37/02;B01J37/18;B01J37/34;H01G9/20
  • 申请日期:
    2018-01-19
  • 申请人:
    河南工业大学
著录项信息
专利名称一种贵金属/H-TiO2基纳米管阵列的制备与应用
申请号CN201810051236.6申请日期2018-01-19
法律状态撤回申报国家中国
公开/公告日2018-06-26公开/公告号CN108201892A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号B01J23/42IPC分类号B;0;1;J;2;3;/;4;2;;;B;0;1;J;2;3;/;4;4;;;B;0;1;J;2;3;/;5;0;;;B;0;1;J;2;3;/;5;2;;;B;0;1;J;3;7;/;0;2;;;B;0;1;J;3;7;/;1;8;;;B;0;1;J;3;7;/;3;4;;;H;0;1;G;9;/;2;0查看分类表>
申请人河南工业大学申请人地址
河南省郑州市高新技术产业开发区莲花街100号河南工业大学科技处 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人河南工业大学当前权利人河南工业大学
发明人刘世凯;周淑慧;刘贺朋;刘雪涛;张镇峰
代理机构暂无代理人暂无
摘要
本发明提供了一种贵金属/H‑TiO2基纳米管阵列的制备方法,属于纳米复合材料技术领域。具体制备方法的步骤为:在含钛金属基体上,通过阳极氧化法制备纳米管有序阵列;对所制备的纳米管有序阵列进行晶化和氢化处理,得到H‑TiO2基纳米管阵列;对所制备的H‑TiO2基纳米管阵列与进行贵金属的负载,制备得到一种贵金属负载的H‑TiO2基纳米管阵列。该有序纳米管阵列复合材料比表面积巨大,光催化性能明显提高,并且具有较好的稳定性,应用广泛,如可作为光电转换材料来使用,可以充分发挥纳米管有序阵列的优势,明显扩展光吸收范围,为高性能光电极的开发和应用提供思路。

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