垂直磁记录介质及其制造方法以及磁记录系统

发明专利无效专利

申请号：
CN200710153186.4
IPC分类号：G11B5/66;G11B5/73
申请日期：
2007-09-28
申请人：
富士通株式会社

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法律信息

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著录项信息

专利名称	垂直磁记录介质及其制造方法以及磁记录系统
申请号	CN200710153186.4	申请日期	2007-09-28
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2008-04-30	公开/公告号	CN101169939
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G11B5/66 ? IPC结构图谱： G 物理 G9 G部其他 G11 信息存储 G11B 基于记录载体和换能器之间的相对运动而实现的信息存储（以不需要通过换能器重现记录值的方式记录测量值的入G01D 9/00；利用有机械标记的带子，例如，穿孔纸带或利用单元记录卡，如穿孔卡片或具有磁性标记的卡片的记录或重现设备入G06K；将数据从记录载体的一种类型转移到另一种类型上的入G06K 1/18；将重放装置的输出耦合到无线电接收机上去的电路入H04B 1/20；唱机拾音器之类的声音机电传感器或为此所用的电路入H04R） G11B5/00 借助于记录载体的激磁或退磁进行记录的；用磁性方法进行重现的；为此所用的记录载体（G11B 11/00优先）〔4〕 G11B5/62 按所用材料选择区分的记录载体 G11B5/64 仅由无须黏结剂的磁性材料构成的 G11B5/66 由多层材料组成的记录载体	IPC分类号	G;1;1;B;5;/;6;6;;;G;1;1;B;5;/;7;3查看分类表>
申请人	富士通株式会社	申请人地址	日本东京变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	昭和电工株式会社	当前权利人	昭和电工株式会社
发明人	安东尼·阿扬
代理机构	隆天国际知识产权代理有限公司	代理人	张龙哺

摘要

本发明提供一种垂直磁记录介质及其制造方法以及磁记录系统。其中在垂直介质中，将形成为多晶铁磁层的、包含铁、钴和/或镍的晶化铁磁层用作反平行软衬层(APS-SUL)结构的一部分，以减少中间层的厚度。软衬层结构由非磁性间隔层组成，该非磁性间隔层的厚度被调整为在两个铁磁层之间形成有效的反平行耦合。在由非晶铁磁层形成的下层与由非晶铁磁层和多晶铁磁层形成的上层之间的反平行方向上形成磁耦合。剩磁中软衬层的有效磁化强度为零。多晶铁磁层的厚度优选为1nm至20nm。中间层(例如钌层)直接形成在磁性多晶软衬层上，厚约10nm至20nm。记录磁层和保护层形成在中间层上。本发明能够在降低噪声的同时获得更高的可写性。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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