一种薄膜晶体管有源矩阵铌酸锂显示芯片

实用新型专利有效专利

申请号：
CN202022411620.8
IPC分类号：G02F1/03
申请日期：
2020-10-27
申请人：
南京南辉智能光学感控研究院有限公司

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专利名称	一种薄膜晶体管有源矩阵铌酸锂显示芯片
申请号	CN202022411620.8	申请日期	2020-10-27
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日		公开/公告号
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G02F1/03 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G02 光学 G02F 用于控制光的强度、颜色、相位、偏振或方向的器件或装置，例如转换、选通、调制或解调，上述器件或装置的光学操作是通过改变器件或装置的介质的光学性质来修改的；用于上述操作的技术或工艺；变频；非线性光学；光学逻辑元件；光学模拟/数字转换器〔2，4〕 G02F1/00 控制来自独立光源的光的强度、颜色、相位、偏振或方向的器件或装置，例如，转换、选通或调制；非线性光学〔2，4〕 G02F1/01 对强度、相位、偏振或颜色的控制（G02F 1/29、G02F 1/35优先）〔2，7〕 G02F1/03 基于陶瓷或电—光晶体的，例如，显示泡克耳斯（Pockels）或科尔（Kerr）效应的（G02F 1/061优先）〔2，4，7〕	IPC分类号	G;0;2;F;1;/;0;3查看分类表>
申请人	南京南辉智能光学感控研究院有限公司	申请人地址	江苏省南京市江宁区麒麟科技创新园天骄路100号江苏南京侨梦苑B栋12楼变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	南京南辉智能光学感控研究院有限公司	当前权利人	南京南辉智能光学感控研究院有限公司
发明人	郭清仪;葛士军
代理机构	暂无	代理人	暂无

摘要

本实用新型提供了一种基于铌酸锂晶体电光效应的薄膜晶体管有源矩阵铌酸锂显示芯片，包括：上下玻璃基板，TFT阵列模块，铌酸锂电光调制模块，透明电极以及滤光片；其中，所述铌酸锂电光调制模块包括铌酸锂晶体层与电介质反射镜矩阵，所述透明电极靠近铌酸锂电光调制模块的一侧，形成黑矩阵，黑矩阵与铌酸锂电光调制模块中的电介质反射镜矩阵呈位置互补关系。本实用新型将传统TFT‑LCD结构中的液晶调光模块替换为铌酸锂电光调制模块，由于调光过程中不需要分子转动，因此具有更高的响应速度，且铌酸锂材料本身具有更高的折射率，这均有利于器件的进一步优化。再者，省略了传统光电显示芯片中灌晶这一繁琐的操作，简化了工艺步骤，节约了成本。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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