发光二极管封装结构

实用新型专利有效专利

申请号：
CN201720724436.4
IPC分类号：H01L33/48;H01L33/60;H01L33/58
申请日期：
2017-06-20
申请人：
深圳市龙岗区横岗光台电子厂

基础信息

权利要求

说明书

PDF全文

法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	发光二极管封装结构
申请号	CN201720724436.4	申请日期	2017-06-20
法律状态	暂无	申报国家	中国
公开/公告日		公开/公告号
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L33/48 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L33/00 至少有一个电位跃变势垒或表面势垒的专门适用于光发射的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备；这些半导体器件的零部件（H01L 51/00优先；由在一个公共衬底中或其上形成有多个半导体组件并包括具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，专门适用于光发射的器件入H01L 27/15；半导体激光器入H01S 5/00）〔2，8，2010.01〕 H01L33/48 以半导体封装体为特征的〔2010.01〕	IPC分类号	H;0;1;L;3;3;/;4;8;;;H;0;1;L;3;3;/;6;0;;;H;0;1;L;3;3;/;5;8查看分类表>
申请人	深圳市龙岗区横岗光台电子厂	申请人地址	广东省深圳市龙岗区横岗街道康乐路2号厂房2、3栋变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	深圳光台实业有限公司	当前权利人	深圳光台实业有限公司
发明人	宋文洲
代理机构	深圳中一专利商标事务所	代理人	官建红

摘要

本实用新型提供了一种发光二极管封装结构，包括承载件和设置于该承载件上的发光二极管芯片，该发光二极管封装结构还包括均匀覆盖发光二极管芯片的出光面的荧光粉层，设置于承载件上并与发光二极管芯片电性连接的电性线路，以及于承载件上塑封该发光二极管和荧光粉层的透光件。本实用新型提供的发光二极管封装结构，通过在发光二极管芯片的出光面上均匀覆盖荧光粉层，从而形成了稳定光色的光源，同时利用成型成具有改变光线方向或是控制光分布的形状的透光件塑封发光二极管芯片和荧光粉层，这样，使得该发光二极管封装结构的发光角度及光分布变得可控，如此，满足了现有市场对发光二极管封装结构的发光角度越来越小及光分布越均匀的使用要求。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有被任何外部专利所引用！

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供