一种功率半导体芯片测试单元

实用新型专利有效专利

申请号：
CN201621073265.5
IPC分类号：G01R31/26
申请日期：
2016-09-22
申请人：
全球能源互联网研究院;国家电网公司;国网浙江省电力公司;华北电力大学

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著录项信息

专利名称	一种功率半导体芯片测试单元
申请号	CN201621073265.5	申请日期	2016-09-22
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日		公开/公告号
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G01R31/26 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G01 测量；测试 G01R 测量电变量；测量磁变量（指示谐振电路的正确调谐入H03J 3/12） G01R31/00 电性能的测试装置；电故障的探测装置；以所进行的测试在其他位置未提供为特征的电测试装置（在制造过程中测试或测量半导体或固体器件入H01L 21/66；线路传输系统的测试入H04B 3/46） G01R31/26 单个半导体器件的测试（在制造或处理过程中的测试或测量入H01L 21/66；光伏器件的测试入H02S 50/10）〔2，2014.01〕	IPC分类号	G;0;1;R;3;1;/;2;6查看分类表>
申请人	全球能源互联网研究院;国家电网公司;国网浙江省电力公司;华北电力大学	申请人地址	北京市昌平区未来科技城北区国网智能电网研究院院内变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	全球能源互联网研究院,国家电网公司,国网浙江省电力公司,华北电力大学	当前权利人	全球能源互联网研究院,国家电网公司,国网浙江省电力公司,华北电力大学
发明人	邓二平;李现兵;张朋;温家良
代理机构	北京安博达知识产权代理有限公司	代理人	徐国文

摘要

本实用新型提供了一种功率半导体芯片测试单元，所述测试单元包括集电极、被测芯片子模组、PCB板、固定框架和发射极；集电极和发射极的外部侧壁上分别设置有集电极限位凹槽和发射极限位凹槽，固定框架的内部侧壁上设置有限位凸台；集电极、被测芯片子模组、PCB板和发射极顺次叠放在固定框架内，且限位凸台嵌入在集电极限位凹槽和发射极限位凹槽内。与现有技术相比，本实用新型提供的一种功率半导体芯片测试单元，可以限制测试单元内各部件的纵向位移而只存在轴向位移，不仅利于对被测芯片子模组进行随时拆卸和压力加载，还能保证在多次测试过程测试单元内各部件的位置相对固定。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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