具有改进的半选择裕量的磁存储器结构

发明专利无效专利

申请号：
CN00117928.4
IPC分类号：--
申请日期：
2000-05-29
申请人：
惠普公司

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	具有改进的半选择裕量的磁存储器结构
申请号	CN00117928.4	申请日期	2000-05-29
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2001-02-07	公开/公告号	CN1282963
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	暂无	IPC分类号	暂无查看分类表>
申请人	惠普公司	申请人地址	美国加利福*** 变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	惠普公司	当前权利人	惠普公司
发明人	M·K·巴塔查亚;J·A·布鲁格
代理机构	中国专利代理（香港）有限公司	代理人	梁永;王忠忠

摘要

可增加半选择裕量的磁存储器包括磁存储单元阵列，每个磁存储单元阵列包括具有易磁化轴的数据存储层和导体阵列，每个导体与易磁化轴之间有一个方向夹角，它预置为可以增加磁存储器中的半选择裕量。方向夹角为使所选的存储单元中的水平写磁场增加而垂直写磁场减小。任一磁存储单元包括含有控制层的结构化的数据存储层，它减小了未选的磁存储单元被半选择开关的可能性。

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实用新型

具有改进的半选择裕量的磁存储器结构

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