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沟槽绝缘栅型双极晶体管的制作方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201110448456.0
  • IPC分类号:H01L21/331
  • 申请日期:
    2011-12-28
  • 申请人:
    上海先进半导体制造股份有限公司
著录项信息
专利名称沟槽绝缘栅型双极晶体管的制作方法
申请号CN201110448456.0申请日期2011-12-28
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2012-06-13公开/公告号CN102496573A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/331IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;3;3;1查看分类表>
申请人上海先进半导体制造股份有限公司申请人地址
上海市徐汇区虹漕路385号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人上海先进半导体制造股份有限公司当前权利人上海先进半导体制造股份有限公司
发明人永福;陈雪萌
代理机构上海专利商标事务所有限公司代理人陈亮
摘要
本发明提供一种沟槽绝缘栅型双极晶体管的制作方法,包括步骤:提供衬底,分为有源区和终端结构区域;在终端结构区域开出保护环的窗口;通过离子注入和扩散工艺在衬底中形成器件保护环;在衬底表面形成场氧,完成有源区定义;在衬底和场氧表面形成沟槽硬掩模层和光刻胶层,并对光刻胶层作图形化;刻蚀沟槽硬掩模层,露出衬底;在衬底表面淀积侧壁保护层并回刻,在沟槽硬掩模层的两侧侧壁处形成保护侧墙,在衬底表面生长热氧化层;以沟槽硬掩模层和保护侧墙为硬掩模,依次刻蚀热氧化层和衬底,在衬底中形成沟槽,热氧化层在沟槽顶部边缘伸入保护侧墙与衬底之间,形成鸟嘴。本发明避免沟槽顶部尖角的产生,防止由其导致的栅极漏电失效和可靠性问题。

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