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半导体装置

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN200510076022.7
  • IPC分类号:H01L29/786;H01L27/12
  • 申请日期:
    2005-06-03
  • 申请人:
    株式会社瑞萨科技
著录项信息
专利名称半导体装置
申请号CN200510076022.7申请日期2005-06-03
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日2005-12-07公开/公告号CN1705137
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L29/786
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IPC结构图谱:
IPC分类号H;0;1;L;2;9;/;7;8;6;;;H;0;1;L;2;7;/;1;2查看分类表>
申请人株式会社瑞萨科技申请人地址
日本神奈川县川崎市 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人瑞萨电子株式会社当前权利人瑞萨电子株式会社
发明人岩松俊明;平野有一;一法师隆志
代理机构中国专利代理(香港)有限公司代理人浦柏明;刘宗杰
摘要
本发明的目的在于提供一种半导体装置,即使该半导体装置是微细化的装置,也可以防止栅极寄生电容增大。在NMOS区(NR)和PMOS区(PR)中,分别在MOS晶体管之间配设部分分离绝缘膜(PT1),部分分离绝缘膜(PT1)具有从SOI层(3)的主面向上侧突出的部分的厚度比沟槽深度、即从SOI层(3)的主面向下延伸的部分的厚度厚、且部分分离绝缘膜(PT1)的下部的SOI层(3)的厚度比分离部厚的结构。

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