基于III-V族半导体材料的AC开关

发明专利无效专利

申请号：
CN201510587800.2
IPC分类号：H01L23/12;H01L23/48;H01L23/50;H01L21/60;H01L21/50
申请日期：
2015-09-15
申请人：
英飞凌科技奥地利有限公司

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专利名称	基于III-V族半导体材料的AC开关
申请号	CN201510587800.2	申请日期	2015-09-15
法律状态	撤回	申报国家	中国
公开/公告日	2016-03-23	公开/公告号	CN105428322A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L23/12 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L23/00 半导体或其他固态器件的零部件（H01L 25/00优先）〔2，5〕 H01L23/12 安装架，例如不可拆卸的绝缘衬底〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;3;/;1;2;;;H;0;1;L;2;3;/;4;8;;;H;0;1;L;2;3;/;5;0;;;H;0;1;L;2;1;/;6;0;;;H;0;1;L;2;1;/;5;0查看分类表>
申请人	英飞凌科技奥地利有限公司	申请人地址	奥地利菲拉赫变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	英飞凌科技奥地利有限公司	当前权利人	英飞凌科技奥地利有限公司
发明人	G·德伯伊;G·库拉托拉
代理机构	北京市金杜律师事务所	代理人	郑立柱

摘要

本发明的各个实施例涉及一种基于III-V族半导体材料的AC开关。描述了一种功率电路，其包括半导体裸片和耦合结构。半导体裸片包括共同衬底以及形成在共同衬底顶部上的III-V半导体层。至少一个双向开关器件至少部分地形成在III-V半导体层内。至少一个双向开关具有至少第一负载端子和第二负载端子。耦合结构配置用于将半导体裸片的共同衬底动态地耦合至第一负载端子的第一电位和第二负载端子的第二电位之中最低的电位。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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