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太阳能电池中的具有可控厚度的硒化钼子层及其形成方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201310150954.6
  • IPC分类号:H01L31/0224;H01L31/18
  • 申请日期:
    2013-04-26
  • 申请人:
    台积太阳能股份有限公司
著录项信息
专利名称太阳能电池中的具有可控厚度的硒化钼子层及其形成方法
申请号CN201310150954.6申请日期2013-04-26
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2014-05-21公开/公告号CN103811563A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L31/0224IPC分类号H;0;1;L;3;1;/;0;2;2;4;;;H;0;1;L;3;1;/;1;8查看分类表>
申请人台积太阳能股份有限公司申请人地址
中国台湾新竹 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人台湾积体电路制造股份有限公司当前权利人台湾积体电路制造股份有限公司
发明人陈世伟;李文钦;严文材;吴忠宪;陈冠竹
代理机构北京德恒律治知识产权代理有限公司代理人章社杲;孙征
摘要
本发明提供了一种太阳能电池,其具有钼背电极层和位于钼背电极上方的硒化钼欧姆接触层。硒化钼层包括精确控制的厚度。在钼背电极层和硒化钼之间存在明显的界面。通过在最初形成的钼层上方形成钼层或氮化钼层或钼氧化层来产生硒化钼层从而使得这两层之间存在界面。实施硒化和硫化工艺以选择性地将含钼层转换为硒化钼但并不将保持为钼层的最初的钼背电极转换。本发明还提供了太阳能电池中的具有可控厚度的硒化钼子层及其形成方法。

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