铟镓砷台面列阵探测器芯片的台面钝化膜及制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN200710171389.6
IPC分类号：H01L31/105;H01L31/18
申请日期：
2007-11-30
申请人：
中国科学院上海技术物理研究所

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著录项信息

专利名称	铟镓砷台面列阵探测器芯片的台面钝化膜及制备方法
申请号	CN200710171389.6	申请日期	2007-11-30
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2008-04-30	公开/公告号	CN101170145
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L31/105 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L31/058 （转入H01L 31/0525，H02S 40/44） H01L31/08 其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器〔2〕 H01L31/10 特点在于至少有一个电位跃变势垒或表面势垒的，例如光敏晶体管〔2〕 H01L31/101 对红外、可见或紫外辐射敏感的器件〔5〕 H01L31/102 仅以一个势垒或面垒为特征的〔5〕 H01L31/105 为PIN型势垒的〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;3;1;/;1;0;5;;;H;0;1;L;3;1;/;1;8查看分类表>
申请人	中国科学院上海技术物理研究所	申请人地址	上海市玉田路500号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中国科学院上海技术物理研究所	当前权利人	中国科学院上海技术物理研究所
发明人	张可锋;唐恒敬;吴小利;徐国庆;李雪;朱龙源;龚海梅
代理机构	上海新天专利代理有限公司	代理人	郭英

摘要

本发明公开了一种铟镓砷台面阵列探测器芯片的台面钝化膜及制备方法，其特征在于：所述的台面钝化膜是通过阳极氧化在台面列阵的上表面和侧面自生成的一层氧化物钝化膜。钝化膜的生成采用pH值为9的0.1mol/L的KOH溶液和逐步的升高电压的方式，使所形成的钝化膜具有良好的绝缘性、粘附性、优化了器件的表面特性，减小了表面和侧面的复合，进而减小暗电流，提高了探测器的量子效率、响应率和探测率。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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