自对准叠加双层多晶硅栅结构的制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN200810043950.7
IPC分类号：H01L21/8247;H01L21/28
申请日期：
2008-11-20
申请人：
上海华虹NEC电子有限公司

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法律信息

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著录项信息

专利名称	自对准叠加双层多晶硅栅结构的制备方法
申请号	CN200810043950.7	申请日期	2008-11-20
法律状态	暂无	申报国家	中国
公开/公告日	2010-06-16	公开/公告号	CN101740520A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/8247	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;8;2;4;7;;;H;0;1;L;2;1;/;2;8查看分类表>
申请人	上海华虹NEC电子有限公司	申请人地址	变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	上海华虹宏力半导体制造有限公司	当前权利人	上海华虹宏力半导体制造有限公司
发明人	吕煜坤;孙娟
代理机构	上海浦一知识产权代理有限公司	代理人	顾继光

摘要

本发明公开了一种自对准叠加双层多晶硅栅结构的制备方法，在传统SASG制备工艺的基础上，增加了淀积ONO薄膜(7)之前先淀积一层氧化硅(11)、再反刻该层氧化硅(11)的步骤。从而在写入栅极隔离区(911)的一周边缘形成一周具有倾斜侧壁的氧化硅侧墙残留(111)。该氧化硅侧墙残留(111)可以帮助ONO薄膜(7)在此处形成一周也具有倾斜侧壁的侧墙(73)，从而有利于SASG结构制备过程中尽可能完全地去除ONO薄膜(7)的残留。最终即使有部分氧化硅残留(112)和/或ONO薄膜残留(74)，由于是落在同是氧化硅的STI结构(2)上，也不会构成缺陷。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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