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*来源于国家知识产权局数据,仅供参考,实际以国家知识产权局展示为准

半导体器件

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN200580034072.7
  • IPC分类号:H01L29/8605;H01L21/329
  • 申请日期:
    2005-09-12
  • 申请人:
    罗伯特·博世有限公司
著录项信息
专利名称半导体器件
申请号CN200580034072.7申请日期2005-09-12
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日2007-09-12公开/公告号CN101036233
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L29/8605
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IPC结构图谱:
IPC分类号H;0;1;L;2;9;/;8;6;0;5;;;H;0;1;L;2;1;/;3;2;9查看分类表>
申请人罗伯特·博世有限公司申请人地址
德国斯图加特 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人罗伯特·博世有限公司当前权利人罗伯特·博世有限公司
发明人皮特·费洛斯;阿尔弗雷德·格拉赫;皮特·乌尔巴赫;沃尔夫冈·法伊勒;曲宁;克劳斯·埃耶斯
代理机构永新专利商标代理有限公司代理人曾立
摘要
本发明说明了一种半导体器件以及一种用于制造这种半导体器件的方法,该半导体器件具有这样的电阻特性,即强地与温度相关。该电阻特性通过半导体器件的特殊的多层结构来得到,其中一层这样地构造,即例如在n掺杂的区域中有多个p掺杂的区域,它们在一个侧面上借助金属化层被短路。该半导体器件可以例如被用于减小电流峰值,其中该器件随后被集成到导体中。在冷的状态中,该半导体器件具有高的电阻,该电阻在半导体器件由于流过的电流被加热之后显著地变小。

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供