LED组件、LED封装体和配线基板及其制造方法

发明专利无效专利

申请号：
CN201110176212.1
IPC分类号：H01L33/48;H01L33/62;H01L33/64
申请日期：
2011-06-21
申请人：
日立电线株式会社

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著录项信息

专利名称	LED组件、LED封装体和配线基板及其制造方法
申请号	CN201110176212.1	申请日期	2011-06-21
法律状态	撤回	申报国家	中国
公开/公告日	2012-01-11	公开/公告号	CN102315364A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L33/48 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L33/00 至少有一个电位跃变势垒或表面势垒的专门适用于光发射的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备；这些半导体器件的零部件（H01L 51/00优先；由在一个公共衬底中或其上形成有多个半导体组件并包括具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，专门适用于光发射的器件入H01L 27/15；半导体激光器入H01S 5/00）〔2，8，2010.01〕 H01L33/48 以半导体封装体为特征的〔2010.01〕	IPC分类号	H;0;1;L;3;3;/;4;8;;;H;0;1;L;3;3;/;6;2;;;H;0;1;L;3;3;/;6;4查看分类表>
申请人	日立电线株式会社	申请人地址	日本东京都变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	新藤电子工业株式会社	当前权利人	新藤电子工业株式会社
发明人	今井升;野口雅弘;伊坂文哉;柴田明司;芦立让;铃木亚季
代理机构	北京银龙知识产权代理有限公司	代理人	钟晶;於毓桢

摘要

本发明提供一种特别适于小尺寸的LED芯片的LED组件、LED封装体和配线基板及其制造方法，其具有如下特征：1)虽然为单面配线基板但散热性良好、2)薄型、3)配线图案难以影响LED芯片的光的反射、4)配线图案上的镀层可以不使用镀银。所述LED组件具有至少第1面侧的波长为450nm的光的全反射率为80％以上的电绝缘材料、贯通前述电绝缘材料的导通孔、在前述电绝缘材料的第2面侧设置的配线图案、以及在前述导通孔内设置的与前述配线图案电导通的金属填充部，在前述电绝缘材料的第1面侧且前述金属填充部的表面上接合LED芯片，并对前述LED芯片进行树脂密封。

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