形成集成电路结构的方法及相关集成电路结构

发明专利有效专利

申请号：
CN201810431009.6
IPC分类号：H01L21/027;H01L21/8252;H01L27/092;H01L29/10
申请日期：
2018-05-08
申请人：
格芯公司

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著录项信息

专利名称	形成集成电路结构的方法及相关集成电路结构
申请号	CN201810431009.6	申请日期	2018-05-08
法律状态	暂无	申报国家	中国
公开/公告日	2018-11-23	公开/公告号	CN108878269A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/027 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/02 半导体器件或其部件的制造或处理〔2，8〕 H01L21/027 未在H01L 21/18或H01L 21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;0;2;7;;;H;0;1;L;2;1;/;8;2;5;2;;;H;0;1;L;2;7;/;0;9;2;;;H;0;1;L;2;9;/;1;0查看分类表>
申请人	格芯公司	申请人地址	美国加利福尼亚州变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	格芯(美国)集成电路科技有限公司	当前权利人	格芯(美国)集成电路科技有限公司
发明人	孙磊;王文辉;张洵渊;谢瑞龙;曾伽;朱雪莲;成敏圭;刘绍铭
代理机构	北京戈程知识产权代理有限公司	代理人	程伟;王锦阳

摘要

本发明涉及形成集成电路结构的方法及相关集成电路结构，一项态样是针对形成集成电路结构的方法。该方法可包括提供位在半导体衬底上方的鳍片集合，该鳍片集合包括多个工作鳍片及多个虚设鳍片，该多个虚设鳍片包括离该多个工作鳍片中任一者在预定义距离内的第一虚设鳍片子集、及离该多个工作鳍片中任一者超出该预定义距离的第二虚设鳍片子集；通过极紫外线(EUV)微影技术将该第一虚设鳍片子集移除；以及将该第二虚设鳍片子集的至少一部分移除。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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