MEMS阵列电可调谐光衰减器及其制备方法

发明专利无效专利

申请号：
CN201210563668.8
IPC分类号：G02B6/26B81C1/00
申请日期：
2012-12-21
申请人：
微机电科技香港有限公司

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著录项信息

专利名称	MEMS阵列电可调谐光衰减器及其制备方法
申请号	CN201210563668.8	申请日期	2012-12-21
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2014-06-25	公开/公告号	CN103885122A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G02B6/26 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G02 光学 G02B 光学元件、系统或仪器（G02F优先；专用于照明装置或系统的光学元件入F21V 1/00至F21V 13/00；测量仪器见G01类的有关小类，例如，光学测距仪入G01C；光学元件、系统或仪器的测试入G01M 11/00；眼镜入G02C；摄影、放映或观看用的装置或设备入G03B；声透镜入G10K 11/30；电子和离子“光学”入H01J；X射线“光学”入H01J，H05G 1/00；结构上与放电管相组合的光学元件入H01J 5/16，H01J 29/89，H01J 37/22；微波“光学”入H01Q；光学元件与电视接收机的组合装置入H04N 5/72；彩色电视系统中的光学系统或装置入H04N 9/00；专门适用于透明或反射区的加热装置入H05B 3/84）〔1，7〕 G02B6/22 （转入G02B 6/036） G02B6/24 光波导的耦合（电波导的耦合入H01P 1/00）〔4，5〕 G02B6/26 光耦合装置（G02B 6/36，G02B 6/42优先）〔4〕	IPC分类号	G02B6/26;B81C1/00查看分类表>
申请人	微机电科技香港有限公司	申请人地址	上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区业盛路188号A-5*** 变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	上海迎翱芯物联网合伙企业（有限合伙）	当前权利人	上海迎翱芯物联网合伙企业（有限合伙）
发明人	不公告发明人
代理机构	上海金盛协力知识产权代理有限公司	代理人	王松

摘要

本发明揭示了一种MEMS阵列电可调谐光衰减器及其制备方法，所述衰减器包括：MEMS阵列光阻挡驱动器芯片、输入光纤阵列、输出光纤阵列；所述输入光纤阵列、输出光纤阵列进行直接光学对准耦合，MEMS阵列光阻挡驱动器芯片中的MEMS光阻挡器阵列设置于输入光纤阵列、输出光纤阵列的间隙中，实现N路通道的光信号功率的独立控制，其中，N≥2。本发明提出的阵列电可调谐光衰减器，具有小体积、低单通道成本、良好一致性、衰减范围大、驱动电压低等优点。