一种制作NiGeSn材料的方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201510977256.2
IPC分类号：H01L21/02;H01L21/225
申请日期：
2015-12-22
申请人：
上海工程技术大学

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	一种制作NiGeSn材料的方法
申请号	CN201510977256.2	申请日期	2015-12-22
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2016-05-04	公开/公告号	CN105551938A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/02 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/02 半导体器件或其部件的制造或处理〔2，8〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;0;2;;;H;0;1;L;2;1;/;2;2;5查看分类表>
申请人	上海工程技术大学	申请人地址	上海市宝山区沪太路2999号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	上海工程技术大学	当前权利人	上海工程技术大学
发明人	平云霞;孟骁然
代理机构	上海海颂知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	何葆芳

摘要

本发明公开了一种制作NiGeSn材料的方法，所述方法是首先提供Ge1‑xSnx层材料做为初始衬底，再在Ge1‑xSnx层表面生长金属插入层，接着在金属插入层表面生长Ni金属层；然后进行快速退火处理：以25～75℃/秒的升温速率升温至300～600℃，保温20～120秒后，在100～200秒时间内冷却至室温，最后采用化学腐蚀法去除金属插入层和未反应的金属Ni，即得到NiGeSn材料。本发明方法具有工艺简单，易于工业化实施等优点；所生成的NiGeSn材料连续、均一、平整，可满足作为晶体管器件接触材料的应用要求，并有利于提高晶体管器件的电性能。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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