OLED中的具有高导电率和高效率的透明层及其制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201380055794.5
IPC分类号：H05B33/28;H01L51/52;H01B1/12
申请日期：
2013-10-25
申请人：
赫劳斯贵金属有限两和公司

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	OLED中的具有高导电率和高效率的透明层及其制备方法
申请号	CN201380055794.5	申请日期	2013-10-25
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2015-07-08	公开/公告号	CN104770065A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H05B33/28 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H05 其他类目不包含的电技术 H05B 电热；其他类目不包含的电照明 H05B33/00 电致发光光源〔1，8〕 H05B33/12 实质上有二维辐射表面的光源 H05B33/26 以用作电极的导电材料的成分或配置为特征的 H05B33/28 半透明电极的	IPC分类号	H;0;5;B;3;3;/;2;8;;;H;0;1;L;5;1;/;5;2;;;H;0;1;B;1;/;1;2查看分类表>
申请人	赫劳斯贵金属有限两和公司	申请人地址	德国哈瑙变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	赫劳斯贵金属有限两和公司	当前权利人	赫劳斯贵金属有限两和公司
发明人	W·勒韦尼希;A·索特;A·埃尔施纳;A·谢尔;D·里泽贝克;S·基希迈尔
代理机构	北京市中咨律师事务所	代理人	李颖;林柏楠

摘要

本发明涉及制备透明电极的方法，其包括以下工艺步骤：I)提供透明基底层，II)向基底层施加包含多个金属的或至少包含金属颗粒的条的网格结构，III)向具有网格结构的透明基底层施加包含以下组分的分散体：a)至少一种聚噻吩，b)至少一种具有SO3‑M+基团的聚合物，c)至少一种具有SO3‑M+基团的氟化或全氟化聚合物，和d)至少一种分散剂，其中M+表示H+、Li+、Na+、K+或NH4+，和IV)至少部分地除去分散剂，导致得到透明电极。本发明还涉及可通过该方法得到的透明电极、透明电极、电子组件和分散体。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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