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一种柔性TMR磁阻传感器及其制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202011307158.5
IPC分类号：H01L43/02;H01L43/08;H01L43/12
申请日期：
2020-11-19
申请人：
西安交通大学

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	一种柔性TMR磁阻传感器及其制备方法
申请号	CN202011307158.5	申请日期	2020-11-19
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2021-03-12	公开/公告号	CN112490351A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L43/02 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L43/00 应用电—磁或者类似磁效应的器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的方法或设备（由在一个共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L 27/00）〔2〕 H01L43/02 零部件〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;4;3;/;0;2;;;H;0;1;L;4;3;/;0;8;;;H;0;1;L;4;3;/;1;2查看分类表>
申请人	西安交通大学	申请人地址	陕西省西安市咸宁西路28号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	西安交通大学	当前权利人	西安交通大学
发明人	刘明;胡忠强;关蒙萌;王志广;周子尧;毛若浩;朱媛媛
代理机构	西安通大专利代理有限责任公司	代理人	暂无

摘要

一种柔性TMR磁阻传感器，包括柔性基底、下电极层、磁阻结构、绝缘层和上电极层；下电极层设置在柔性基底上，磁阻结构设置在下电极层上，上电极层设置在磁阻结构上；绝缘层设置在上电极层和柔性基底之间，且包裹在磁阻结构外侧。

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