一种提高区熔硅单晶轴向与径向电阻率均匀性的反射环

实用新型专利有效专利

申请号：
CN201520811845.9
IPC分类号：C30B13/16;C30B29/06
申请日期：
2015-10-19
申请人：
天津市环欧半导体材料技术有限公司

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专利名称	一种提高区熔硅单晶轴向与径向电阻率均匀性的反射环
申请号	CN201520811845.9	申请日期	2015-10-19
法律状态	暂无	申报国家	中国
公开/公告日		公开/公告号
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C30B13/16 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C30 晶体生长〔3〕 C30B 单晶生长（用超高压的，例如用于金刚石形成的入B01J 3/06）；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼（金属或合金的区熔精炼入C22B）；具有一定结构的均匀多晶材料的制备（金属铸造，按同样工艺或装置的其他物质铸造入B22D；塑料的加工入B29；改变金属或合金的物理结构入C21D、C22F）；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理（用于半导体器件或元件生产的入H01L）；其所用的装置〔3〕 C30B13/00 区域熔融法单晶生长；区域熔融法精炼（C30B 17/00优先；改变所处理固体之横截面的入C30B 15/00；在保护流体下的入C30B 27/00；具有一定结构的均匀多晶材料的生长入C30B 28/00；特定材料的区域精炼，见该材料的相应小类）〔3，5〕 C30B13/16 熔融区的加热〔3〕	IPC分类号	C;3;0;B;1;3;/;1;6;;;C;3;0;B;2;9;/;0;6查看分类表>
申请人	天津市环欧半导体材料技术有限公司	申请人地址	江苏省无锡市宜兴经济技术开发区东氿大道变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中环领先半导体材料有限公司,天津中环领先材料技术有限公司	当前权利人	中环领先半导体材料有限公司,天津中环领先材料技术有限公司
发明人	刘铮;王遵义;娄中士;韩暐;涂颂昊;孙昊;王彦君;张雪囡;由佰玲
代理机构	天津滨海科纬知识产权代理有限公司	代理人	陈雅洁

摘要

本实用新型提供了一种提高区熔硅单晶轴向与径向电阻率均匀性的反射环，包括保温筒、冷却水管道和掺杂管道，所述保温筒筒体外壁上套设有环形的冷却水管道，所述冷却水管道上设置有进水口和出水口，所述筒体外壁上紧挨冷却水管道下端处，套设有环形的掺杂管道，所述掺杂管道上设有若干个管道进气口，所述筒体的筒壁上设有若干个与所述掺杂管道相连通的筒体进气口。本实用新型所述的提高区熔硅单晶轴向与径向电阻率均匀性的反射环可以减小炉内氩气对流对掺杂浓度的影响，提高了轴向电阻率均匀性；可以减小自由熔体表面中心与边缘的掺杂浓度差，提高了径向电阻率均匀性；而且局部掺杂浓度升高，提高掺杂效率，降低成本。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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