智能卡主体及其制造方法、智能卡及其装配方法和载体带

发明专利有效专利

申请号：
CN200610148611.6
IPC分类号：H01L21/60;H01L21/56;H01L23/498;H01L23/31;G06K19/077
申请日期：
2006-11-14
申请人：
蒂科电子法国公司;蒂科电子普雷特玛两合公司

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法律信息

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著录项信息

专利名称	智能卡主体及其制造方法、智能卡及其装配方法和载体带
申请号	CN200610148611.6	申请日期	2006-11-14
法律状态	暂无	申报国家	中国
公开/公告日	2007-05-30	公开/公告号	CN1971866
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/60 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/02 半导体器件或其部件的制造或处理〔2，8〕 H01L21/04 至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层〔2〕 H01L21/50 应用H01L 21/06至H01L 21/326中的任一小组都不包含的方法或设备组装半导体器件的〔2〕 H01L21/60 引线或其他导电构件的连接，用于工作时向或由器件传导电流〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;6;0;;;H;0;1;L;2;1;/;5;6;;;H;0;1;L;2;3;/;4;9;8;;;H;0;1;L;2;3;/;3;1;;;G;0;6;K;1;9;/;0;7;7查看分类表>
申请人	蒂科电子法国公司;蒂科电子普雷特玛两合公司	申请人地址	法国芒特拉若利变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	德国本斯海姆,立联信控股有限公司	当前权利人	德国本斯海姆,立联信控股有限公司
发明人	塞巴斯蒂安·卡尔克;弗雷德里克·摩根塔勒
代理机构	北京市柳沈律师事务所	代理人	陶凤波

摘要

本发明涉及智能卡主体、智能卡及其制造方法，具体而言，涉及用作用户身份模块(SIM)卡的智能卡。为了以能够实现简单的、适应性强的智能卡制造方法的方式改进智能卡主体的制造方法和智能卡的装配方法，描述了一种智能卡主体的制造方法，其中，所述方法包括在导电层中形成引线框架，其中，所述引线框架具有位于第一表面上的第一接触，并且可以将所述引线框架连接至位于与所述第一表面相对的第二表面上的半导体芯片，所述方法还包括在所述智能卡主体的第二表面上形成电绝缘外壳层，其中，所述外壳层具有用于结合所述半导体芯片的凹陷。

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