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氮化物半导体发光元件的制造方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN200810176804.1
  • IPC分类号:H01L33/00;H01S5/343
  • 申请日期:
    2008-11-19
  • 申请人:
    三菱电机株式会社
著录项信息
专利名称氮化物半导体发光元件的制造方法
申请号CN200810176804.1申请日期2008-11-19
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日2009-05-27公开/公告号CN101442094
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L33/00IPC分类号H;0;1;L;3;3;/;0;0;;;H;0;1;S;5;/;3;4;3查看分类表>
申请人三菱电机株式会社申请人地址
日本东京都 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人三菱电机株式会社当前权利人三菱电机株式会社
发明人金本恭三;盐泽胜臣;川崎和重;阿部真司;佐久间仁
代理机构中国专利代理(香港)有限公司代理人何欣亭;王丹昕
摘要
本发明“氮化物半导体发光元件的制造方法”,是一种能够减小p型电极的接触电阻率的氮化物半导体发光元件的制造方法。在GaN单晶衬底(1)上形成层叠有p型GaN接触层(11)等的半导体层叠结构。在p型GaN接触层上(11)形成具有Pd层(16)和Ta层(17)的p型电极(15)。在形成了p型电极(15)后,在含氧气氛中在400℃~600℃的温度进行热处理。在热处理后,在p型电极(15)上形成含Au的平头电极(18)。

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