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实现无缝钴间隙填充的方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201480049063.4
  • IPC分类号:H01L21/205
  • 申请日期:
    2014-09-10
  • 申请人:
    应用材料公司
著录项信息
专利名称实现无缝钴间隙填充的方法
申请号CN201480049063.4申请日期2014-09-10
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2016-04-20公开/公告号CN105518827A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/205IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;2;0;5查看分类表>
申请人应用材料公司申请人地址
美国加利福尼亚州 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人应用材料公司当前权利人应用材料公司
发明人布尚·N·左普;阿夫耶里诺斯·V·杰拉托斯;博·郑;雷雨;傅新宇;斯里尼瓦斯·甘迪科塔;柳尚澔;马修·亚伯拉罕
代理机构北京律诚同业知识产权代理有限公司代理人徐金国;赵静
摘要
本文提供用于在半导体装置的特征结构界定中沉积金属层的方法。在一个实施方式中,提供用于沉积金属层以形成半导体装置的方法。所述方法包括执行循环金属沉积工艺以在基板上沉积金属层和将设置在基板上的金属层退火。循环金属沉积工艺包括将基板暴露于沉积前驱物气体混合物以在基板上沉积金属层的一部分;将金属层的所述部分暴露于等离子体处理工艺或氢退火工艺;和重复将基板暴露于沉积前驱物气体混合物的步骤和将金属层的所述部分暴露于等离子体处理工艺或氢退火工艺的步骤,直至达到金属层的预定厚度。

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