处理装置和准直器

发明专利有效专利

申请号：
CN201680052053.5
IPC分类号：C23C14/34;C23C14/35;H01L21/285
申请日期：
2016-12-19
申请人：
株式会社东芝

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著录项信息

专利名称	处理装置和准直器
申请号	CN201680052053.5	申请日期	2016-12-19
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2018-05-11	公开/公告号	CN108026633A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C23C14/34 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕 C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆（挤压法制造包覆金属的产品入B21C23/22；通过将预先存在的薄层连接到制品上的方法用金属进行镀覆处理的见各有关位置，例如B21D39/00，B23K；玻璃的金属化入C03C；砂浆、混凝土、人造石、陶瓷或天然石的金属化入C04B41/00；金属的搪瓷或向金属上镀覆玻璃体层入c23D；用电解法或电泳法处理金属表面或镀覆金属入C25D；单晶膜生长入C30B；纺织品的金属化入D06M11/83；用局部金属化法装饰纺织品入D06Q1/04）〔4〕 C23C14/00 通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆〔4，2006.01〕 C23C14/22 以镀覆工艺为特征的〔4〕 C23C14/34 溅射〔4〕	IPC分类号	C;2;3;C;1;4;/;3;4;;;C;2;3;C;1;4;/;3;5;;;H;0;1;L;2;1;/;2;8;5查看分类表>
申请人	株式会社东芝	申请人地址	日本东京都变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	株式会社东芝	当前权利人	株式会社东芝
发明人	竹内将胜;加藤视红磨;青山德博;寺田贵洋;德田祥典
代理机构	永新专利商标代理有限公司	代理人	房永峰

摘要

根据实施例的处理装置包括物体放置单元、源放置单元、整流构件以及电源。所述物体放置单元被配置为具有放置在其上的物体。所述源放置单元布置成与所述物体放置单元分开并且被配置为具有放置在其上的粒子源，所述粒子源能够朝着所述物体发射粒子。在从所述源放置单元至所述物体放置单元的第一方向上，所述整流构件布置在所述物体放置单元和所述源放置单元之间。所述电源被配置为向所述整流单元施加与所述粒子中的电荷的极性具有相同极性的电压。

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