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具有双电压源的熔丝记忆位与其电源供应方法

发明专利无效专利

申请号：
CN200610066838.6
IPC分类号：H01L23/58;H01L23/62;H01L27/00
申请日期：
2006-03-29
申请人：
富晶半导体股份有限公司

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	具有双电压源的熔丝记忆位与其电源供应方法
申请号	CN200610066838.6	申请日期	2006-03-29
法律状态	撤回	申报国家	中国
公开/公告日	2007-10-03	公开/公告号	CN101047166
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L23/58 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L23/00 半导体或其他固态器件的零部件（H01L 25/00优先）〔2，5〕 H01L23/58 其他组不包含的，用于半导体器件的电结构装置〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;3;/;5;8;;;H;0;1;L;2;3;/;6;2;;;H;0;1;L;2;7;/;0;0查看分类表>
申请人	富晶半导体股份有限公司	申请人地址	中国台湾变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	富晶半导体股份有限公司	当前权利人	富晶半导体股份有限公司
发明人	黄一洲;吴晓龙
代理机构	北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司	代理人	余朦;方挺

摘要

一种具有双电压源的熔丝记忆位与其电源供应方法，其中熔丝连接修整电压源，第一检查电路与第二检查电路被系统电压源所驱动，检查电路根据熔丝的第一端与第二端的电位差，来判断熔丝是否被烧断。

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