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一种低温烧结高压电性能的锆钛酸钡钙基无铅压电陶瓷及其制备方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN201110197549.0
  • IPC分类号:C04B35/49;C04B35/622
  • 申请日期:
    2011-07-15
  • 申请人:
    桂林电子科技大学
著录项信息
专利名称一种低温烧结高压电性能的锆钛酸钡钙基无铅压电陶瓷及其制备方法
申请号CN201110197549.0申请日期2011-07-15
法律状态驳回申报国家中国
公开/公告日2012-02-15公开/公告号CN102351533A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号C04B35/49IPC分类号C;0;4;B;3;5;/;4;9;;;C;0;4;B;3;5;/;6;2;2查看分类表>
申请人桂林电子科技大学申请人地址
广西壮族自治区桂林市七星区金鸡路1号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人桂林电子科技大学当前权利人桂林电子科技大学
发明人刘心宇;崔业让;江民红;胡耀斌;袁昌来
代理机构桂林市华杰专利商标事务所有限责任公司代理人巢雄辉
摘要
本发明公开了一种低温烧结高压电性能的锆钛酸钡钙基无铅压电陶瓷及其制备方法,其特征是:锆钛酸钡钙基无铅压电陶瓷的化学组成通式为:(1-x)(Ba0.85Ca0.15)(Zr0.9Ti0.1)O3-XMαOβ其中:0<x<0.01,MαOβ表示氧化物,α和β分别表示相关氧化物中相应的元素M和氧的原子数;其M为Ce、Sm、Yb、Nd中的一种或几种元素,以(Ba0.85Ca0.15)(Zr0.9Ti0.1)O3为基体,以MαOβ为助烧剂,经传统制陶工艺烧制而成。本发明(Ba0.85Ca0.15)(Zr0.9Ti0.1)O3-MαOβ无铅压电陶瓷,具有低烧结温度、优良的压电性能及综合性能。通过选择适当的配方及工艺参数,烧结温度在1300-1350℃适合于工业烧结温度,均可使该体系的陶瓷各项性能良好。

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