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能降低栅极电容的分离栅MOSFET器件结构

实用新型专利有效专利
  • 申请号:
    CN201620793262.2
  • IPC分类号:H01L29/78;H01L29/06
  • 申请日期:
    2016-07-26
  • 申请人:
    无锡同方微电子有限公司
著录项信息
专利名称能降低栅极电容的分离栅MOSFET器件结构
申请号CN201620793262.2申请日期2016-07-26
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日公开/公告号
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L29/78
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IPC结构图谱:
IPC分类号H;0;1;L;2;9;/;7;8;;;H;0;1;L;2;9;/;0;6查看分类表>
申请人无锡同方微电子有限公司申请人地址
江苏省无锡市新区菱湖大道200号中国传感网国际创新园 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人无锡同方微电子有限公司当前权利人无锡同方微电子有限公司
发明人白玉明;张艳旺;张海涛
代理机构无锡市大为专利商标事务所(普通合伙)代理人曹祖良
摘要
本实用新型提出的能降低栅极电容的分离栅MOSFET器件结构,N型外延层位于N型重掺杂衬底上且邻接,N型外延层内设有沟槽,N型源极区和P型体区位于沟槽两侧且邻接,且N型源极区设于P型体区内,沟槽分为上下两部分,下部分沟槽内置有厚氧化层槽,厚氧化层槽内设置有源极导电多晶硅,上部分沟槽内设有栅极导电多晶硅和栅氧化层,栅氧化层位于栅极导电多晶硅两侧且邻接,栅极导电多晶硅和源极导电多晶硅之间设有厚氧化层;本实用新型提出的分离栅MOSFET器件结构,通过增加源极导电多晶硅和栅极导电多晶硅之间氧化层厚度,能降低器件的栅极电容Ciss和栅源IGSS漏电,同时该器件结构应用更可靠,开关速度更快。

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