一种原子层沉积设备

实用新型专利有效专利

申请号：
CN202022070750.X
IPC分类号：C23C16/455;C23C16/44
申请日期：
2020-09-21
申请人：
披刻半导体（苏州）有限公司

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著录项信息

专利名称	一种原子层沉积设备
申请号	CN202022070750.X	申请日期	2020-09-21
法律状态	授权	申报国家	暂无
公开/公告日		公开/公告号
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C23C16/455 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕 C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆（挤压法制造包覆金属的产品入B21C23/22；通过将预先存在的薄层连接到制品上的方法用金属进行镀覆处理的见各有关位置，例如B21D39/00，B23K；玻璃的金属化入C03C；砂浆、混凝土、人造石、陶瓷或天然石的金属化入C04B41/00；金属的搪瓷或向金属上镀覆玻璃体层入c23D；用电解法或电泳法处理金属表面或镀覆金属入C25D；单晶膜生长入C30B；纺织品的金属化入D06M11/83；用局部金属化法装饰纺织品入D06Q1/04）〔4〕 C23C16/00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积（CVD）工艺（反应溅射或真空蒸发入C23C 14/00）〔4〕 C23C16/44 以镀覆方法为特征的（C23C 16/04优先）〔4〕 C23C16/455 向反应室输入气体或在反应室中改性气流的方法〔7〕	IPC分类号	C;2;3;C;1;6;/;4;5;5;;;C;2;3;C;1;6;/;4;4查看分类表>
申请人	披刻半导体（苏州）有限公司	申请人地址	江苏省苏州市相城区高铁新城南天成路58号3楼-A276 变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	披刻半导体（苏州）有限公司	当前权利人	披刻半导体（苏州）有限公司
发明人	张良;张义颖
代理机构	苏州创元专利商标事务所有限公司	代理人	赖婉婷

摘要

本实用新型涉及一种原子层沉积设备，包括具有内腔的反应室、设置在反应室内用于承载沉积用衬底的载台及用于加热衬底的加热机构，反应室顶部开设开口，原子层沉积设备还包括盖合开口使得反应室的内腔形成封闭腔室的上盖，载台设置在上盖底面，当衬底安装在载台上时，衬底的用于沉积的一面朝下，原子层沉积设备还包括设置在反应室侧壁的进气口和排气口。本实用新型通过将载台设置在上盖底面，使得衬底安装在载台上时，衬底用于沉积的一面朝下，重力作用下，颗粒趋向于掉落在反应室底部，能够有效防止或减少颗粒落在衬底上，减少吹扫时间进而提升设备的有效产出。另一方面，吹扫时间少，吹扫气体用量也相应减少。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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