一种改进的聚偏氟乙烯基纳滤膜的制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201711176072.1
IPC分类号：B01D71/82;B01D71/34;B01D67/00
申请日期：
2017-11-22
申请人：
北京新源国能科技集团股份有限公司

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专利名称	一种改进的聚偏氟乙烯基纳滤膜的制备方法
申请号	CN201711176072.1	申请日期	2017-11-22
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2018-06-01	公开/公告号	CN108097071A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	B01D71/82 ? IPC结构图谱： B 作业；运输 B0 分离；混合 B01 一般的物理或化学的方法或装置 B01D 分离（用湿法从固体中分离固体入B03B、B03D，用风力跳汰机或摇床入B03B，用其他干法入B07；固体物料从固体物料或流体中的磁或静电分离，利用高压电场的分离入B03C；离心机、涡旋装置入B04B；涡旋装置入B04C；用于从含液物料中挤出液体的压力机本身入B30B 9/02）〔5〕 B01D71/00 以材料为特征的用于分离工艺或设备的半透膜；其专用制备方法〔5〕 B01D71/06 有机材料〔5〕 B01D71/76 不包含在B01D 71/08至B01D 71/74单一组中的高分子材料（一般橡胶入B01D 71/24）〔5〕 B01D71/82 以存在特殊基团为特征，例如通过化学后处理引入的基团〔5〕	IPC分类号	B;0;1;D;7;1;/;8;2;;;B;0;1;D;7;1;/;3;4;;;B;0;1;D;6;7;/;0;0查看分类表>
申请人	北京新源国能科技集团股份有限公司	申请人地址	北京市顺义区高丽营镇文化营村北（临空二路1号）变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	北京新源国能科技集团股份有限公司	当前权利人	北京新源国能科技集团股份有限公司
发明人	王蕾;徐愿坚;韩君;张如意;凡祖伟
代理机构	北京思海天达知识产权代理有限公司	代理人	张立改

摘要

一种改进的聚偏氟乙烯基纳滤膜的制备方法，属于膜技术领域。首先，采用相转化法制备聚偏氟乙烯超滤基膜，即：将聚偏氟乙烯、溶剂、添加剂、致孔剂以及带有氨基、羧基、磺酸基或羟基官能团的化合物混合，加热至50‑90℃并搅拌均匀，真空环境下静置脱泡，得到铸膜液，然后使用刮刀刮膜并浸入凝固浴成膜或经喷丝板流出至凝固浴成膜，得到聚偏氟乙烯超滤基膜；采用界面聚合法制备聚偏氟乙烯基纳滤膜，即：采用定量注射的方法分别将水相单体水溶液和油相单体有机溶液分别先后涂覆于聚偏氟乙烯超滤基膜表面，然后经过热处理得到聚偏氟乙烯基纳滤膜。制备纳滤膜具有稳定性，更加节约成本，且可以避免环境污染。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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