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具有双层或多层盖层的互连及其制造方法

发明专利无效专利

申请号：
CN200610151329.3
IPC分类号：H01L23/522;H01L21/768
申请日期：
2006-07-20
申请人：
三星电子株式会社

基础信息

权利要求

说明书

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	具有双层或多层盖层的互连及其制造方法
申请号	CN200610151329.3	申请日期	2006-07-20
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2007-04-11	公开/公告号	CN1945826
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L23/522 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L23/00 半导体或其他固态器件的零部件（H01L 25/00优先）〔2，5〕 H01L23/52 用于在处于工作中的器件内部从一个组件向另一个组件通电的装置〔2〕 H01L23/522 包含制作在半导体本体上的多层导电的和绝缘的结构的外引互连装置的〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;3;/;5;2;2;;;H;0;1;L;2;1;/;7;6;8查看分类表>
申请人	三星电子株式会社	申请人地址	韩国京畿道变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	三星电子株式会社	当前权利人	三星电子株式会社
发明人	吴晙焕;孟东祚
代理机构	北京市柳沈律师事务所	代理人	陶凤波

摘要

本发明公开了一种具有双重或多重盖层的互联的制造方法，包括：在衬底上形成层间电介质层；在所述层间电介质层中形成沟槽；以金属层填充所述沟槽；在所述金属层和层间电介质层上形成第一阻挡层；热处理包括所述第一阻挡层的所得到的衬底以在所述金属层的顶部形成金属化合物层；和在热处理的包括所述第一阻挡层的衬底上形成第二阻挡层。

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