加载中...
首页专利查询专利详情

*来源于国家知识产权局数据,仅供参考,实际以国家知识产权局展示为准

第一层铜互连的制作方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN201110310442.2
  • IPC分类号:H01L21/768
  • 申请日期:
    2011-10-13
  • 申请人:
    上海华力微电子有限公司
著录项信息
专利名称第一层铜互连的制作方法
申请号CN201110310442.2申请日期2011-10-13
法律状态驳回申报国家中国
公开/公告日2012-01-25公开/公告号CN102332427A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/768IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;7;6;8查看分类表>
申请人上海华力微电子有限公司申请人地址
上海市浦东新区张江高科技园区高斯路497号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人上海华力微电子有限公司当前权利人上海华力微电子有限公司
发明人陈玉文;胡友存;李磊;姬峰;张亮
代理机构上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)代理人陆花
摘要
本发明涉及第一层铜互连的制作方法,该方法在硅片上依次沉积超低介电常数薄膜、超低介电常数薄膜保护膜和金属硬模;涂覆光刻胶,光刻形成第一刻蚀窗口;在第一刻蚀窗口内刻蚀金属硬膜,在金属硬膜中形成第二刻蚀窗口,刻蚀第二刻蚀窗口内的超低介电常数薄膜保护膜和超低介电常数薄膜,形成沟槽;采用电镀工艺对沟槽进行铜填充淀积,化学机械研磨形成第一层铜互连。本发明采用金属硬膜为掩膜,提高了刻蚀的选择比,从而减少了光刻胶的厚度,避免随着线宽的变窄,高的光刻胶倒塌且避免沟槽顶部出现圆角,从而减小漏电流、进而提高可靠性。

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供